那么IC在使用期的寿命测试中的HTOL是什么呢?使用期的寿命测试又包含高温工作寿命(HTOL)和低温工作寿命(LTOL),对于亚微米级尺寸的器件,热载流子效应对于器件寿命有着***的影响,低温工作时相对比较苛刻,所以像存储器、处理器等纳米级别工艺的产品通常需要进行低温工作寿命测试。而对于。进行HTOL(HighTemperatureOperationLife)测试的目的就是为了确定长时间的电气偏差和温度对器件的影响,评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力,也就是在正常工作的寿命期间潜在的固有故障被加速,这样就可以在相对比较短的时间内模拟出产品的正常使用寿命。HTOL是在产品放行和批量生产前进行评估,对应浴缸曲线曲线的UsefulLife期,通常是抽样进行的。此外,HTOL还可以用于可靠性监控以及对存在潜在缺陷的产品进行风险评估。 上海顶策科技有限公司可靠性测试部,提供HTOL方案设计制作。智能HTOL测试机大概费用
进一步的,对所述闪存参考单元进行编译,包括:在所述源极上施加***编程电压,在所述漏极上施加第二编程电压,在所述控制栅上施加第三编程电压,在所述衬底上施加第四编程电压;其中,所述***编程电压小于所述第二编程电压;所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的,所述***编程电压的范围为~0v,所述第二编程电压的范围为~,所述第三编程电压的范围为8v~10v,所述第四编程电压的范围为~-1v。进一步的,编译过程中的脉冲宽度为100μs~150μs。进一步的,对所述闪存参考单元进行擦除,包括:将所述源极和漏极均悬空,在所述控制栅上施加***擦除电压,在所述衬底上施加第二擦除电压;其中,所述***擦除电压为负电压,所述第二擦除电压为正电压。进一步的,所述***擦除电压的范围为-10v~-8v,所述第二擦除电压的范围为8v~10v。进一步的,擦除过程中的脉冲宽度为10ms~20ms。进一步的,对所述闪存参考单元进行编译和擦除,循环次数为10次~20次。进一步的,对所述闪存进行htol测试包括:对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。
松江区HTOL测试机推荐上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801通过监测数据,可实时发现问题并介入分析,大幅提高效率。
一种闪存htol测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。具体的,待测闪存在同一闪存芯片(die)中的不同区域分布有闪存参考单元和闪存阵列单元,闪存阵列单元用于存储数据,闪存参考单元用于提供参考阈值电压以区分闪存阵列单元的状态。提供的待测闪存在其生产工艺过程中易在闪存参考单元中捕获。引入)空穴,所述空穴在htol测试过程中存在丢失。图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图,
技术实现要素:本发明提供了一种闪存htol测试方法,以解决闪存htol测试中读点失效的问题。本发明提供的闪存htol测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。进一步的,所述闪存参考单元包括衬底、位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极和漏极,位于所述导电沟道上方的栅极单元,所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层以及控制栅,所述栅极单元的两侧分布有侧墙。 上海顶策科技自主研发TH801智能一体化HTOL测试机,拥有多项发明专利及软件著作权。
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AEC-Q1001.对于非易失性存储器样品,在HTOL之前进行预处理:等级0:150℃,1000h等级1:125℃,1000h等级2:105℃,1000h等级3:85℃,1000h2.各等级温度对应的时间是比较低要求,通过计算或测量获取HTOL的Tj(结温);3.当进行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作温度时的Tj,那么Tj可以代替Ta(环境温度),但是要低于***比较大Tj;4.如果Tj被用来作为HTOL的条件,在Ta和1000h条件下的器件需要使用;(max)需要保证交直流参数。————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:。 智能HTOL测试机大概费用